MOSFET STMicroelectronics STP10NM60N, VDSS 600 V, ID 10 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 168-7484
Referência do fabricante:: STP10NM60N
Fabricante:: STMicroelectronics

MOSFET STMicroelectronics STP10NM60N, VDSS 600 V, ID 10 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 168-7484
Referência do fabricante:: STP10NM60N
Fabricante:: STMicroelectronics

SRAM HM65768
STD10NM60N, STF10NM60N, STI10NM60N, STP10NM60N, STU10NM60N, N-channel 600V, 0.53 Ohm typ., 10A MDmesh II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I2PAK, TO-220 and IPAK packages
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	TO-220
Serie	MDmesh
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	550 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	4V
Tensión de umbral de puerta mínima	2V
Disipación de Potencia Máxima	70 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-25 V, +25 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	19 nC a 10 V
Ancho	4.6mm
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	10.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Altura	15.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET STMicroelectronics STP10NM60N, VDSS 600 V, ID 10 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

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MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics