MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 80 V, ID 90 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 168-7020
- Referência do fabricante:
- STP140N8F7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
88,50 €
Adicione 50 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- 950 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,77 € | 88,50 € |
| 100 + | 1,682 € | 84,10 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 168-7020
- Referência do fabricante:
- STP140N8F7
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 90A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 200W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 96nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 15.75mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 90A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie STripFET H7 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 200W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 96nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 15.75mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP140N8F7, VDSS 80 V, ID 90 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 75 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 120 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP75NF75, VDSS 75 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80NF10, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80NF12, VDSS 120 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 3 pines