MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 168-6679
- Referência do fabricante:
- STB100NF04T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
2 028,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 1000 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 2,028 € | 2 028,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 168-6679
- Referência do fabricante:
- STB100NF04T4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | STripFET II | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 110nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 9.35 mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie STripFET II | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 110nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 9.35 mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- MY
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Transistores MOSFET, STMicroelectronics
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB100NF04T4, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB120NF10T4, VDSS 100 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB160N75F3, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB140NF75T4, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263