MOSFET de potencia, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 98 A, Mejora, TO-264 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 tubo de 25 unidades)*

454,65 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 09 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Tubo*
25 +18,186 €454,65 €

*preço indicativo

Código RS:
168-4737
Referência do fabricante:
IXFK98N50P3
Fabricante:
IXYS
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

98A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

500V

Encapsulado

TO-264

Serie

Polar3

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

50mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

197nC

Disipación de potencia máxima Pd

130W

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

19.96mm

Anchura

5.13 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

26.16mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
US

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™


Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)

Transistores MOSFET, IXYS


Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS

Links relacionados