MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXTN62N50L, VDSS 500 V, ID 62 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- Código RS:
- 168-4608
- Referência do fabricante:
- IXTN62N50L
- Fabricante:
- IXYS
Indisponível
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- Código RS:
- 168-4608
- Referência do fabricante:
- IXTN62N50L
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 62A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Serie | Linear | |
| Tipo de montaje | Panel | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 800W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 550nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 25.42 mm | |
| Altura | 9.6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 62A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Serie Linear | ||
Tipo de montaje Panel | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 800W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 550nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 38.23mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 25.42 mm | ||
Altura 9.6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- US
MOSFET de potencia de canal N, IXYS serie Linear
MOSFET de potencia de canal N diseñados específicamente para un funcionamiento lineal. Estos dispositivos ofrecen una mayor zona de funcionamiento seguro con polarización directa (FBSOA) para aumentar la resistencia y fiabilidad.
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
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