MOSFET, N-Canal IXYS, VDSS 150 V, ID 310 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
168-4578
Referência do fabricante:
IXFN360N15T2
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

310A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

GigaMOS TrenchT2 HiperFET

Encapsulado

SOT-227

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

715nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.07kW

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

25.07mm

Altura

9.6mm

Longitud

38.23mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
PH

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™


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