MOSFET onsemi FDS8884, VDSS 30 V, ID 8,5 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

Código RS:: 166-2619
Referência do fabricante:: FDS8884
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDS8884, VDSS 30 V, ID 8,5 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

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Código RS:: 166-2619
Referência do fabricante:: FDS8884
Fabricante:: onsemi

Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	8,5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Serie	PowerTrench
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	23 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	2,5 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	9,2 nC a 10 V
Material del transistor	Si
Longitud	5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Altura	1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FDS8884, VDSS 30 V, ID 8,5 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor