MOSFET, N-Canal Nexperia, VDSS 30 V, ID 7 A, Mejora, DFN de 8 pines

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Código RS:
165-9790
Referência do fabricante:
PMPB20EN,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

PMPB20EN

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

19.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Disipación de potencia máxima Pd

12.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

2.1mm

Longitud

2.1mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

650μm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal N, hasta 30V


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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