MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS 20 V, ID 4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
165-9770
Referência do fabricante:
PMV32UP,215
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

PMV32UP

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

36mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

415mW

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1mm

Longitud

3mm

Anchura

1.4 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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