MOSFET, Tipo P-Canal Nexperia, VDSS 20 V, ID 3.9 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
103-8142
Referência do fabricante:
PMV65XP,215
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

76mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.6nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

-0.8V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

1.92W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, Nexperia


Transistores MOSFET, NXP Semiconductors


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