MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 11 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:
165-8214
Referência do fabricante:
IRF8707TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

17.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.2nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Disipación de potencia máxima Pd

2.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4 mm

Altura

1.5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 11 A, disipación de potencia máxima de 2,5 W - IRF8707TRPBF


Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de potencia, mejorando la eficiencia y el rendimiento térmico. Su baja resistencia a la conexión y su mínima carga de puerta reducen significativamente las pérdidas de conducción y conmutación, lo que lo hace idóneo para convertidores CC-CC de alta eficiencia en diversas aplicaciones. El compacto encapsulado SOIC aumenta la versatilidad y se integra fácilmente en espacios reducidos.

Características y ventajas


• La baja carga de puerta reduce las pérdidas de conmutación en las aplicaciones

• La corriente de drenaje continua máxima de 11 A aumenta el rendimiento

• Tolerancia a altas temperaturas de hasta +150°C que garantiza la fiabilidad

• La baja Rds(on) mejora la eficiencia energética general

• La configuración de canal N permite diseños flexibles

• Totalmente caracterizado para voltaje y corriente de avalancha que proporciona mayor seguridad

Aplicaciones


• Control de MOSFET en convertidores buck síncronos

• Uso en convertidores CC-CC aislados para sistemas de red

• Soluciones de gestión energética para procesadores de portátiles

• Aplicación en sistemas de automatización y control para mejorar el rendimiento

¿Cuál es la idoneidad para entornos de altas temperaturas?


El dispositivo funciona eficazmente a temperaturas de hasta +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en las condiciones de alto calor típicas de las aplicaciones de potencia.

¿Cómo gestiona este producto la disipación de energía?


Con una disipación de potencia máxima de 2,5 W, equilibra el rendimiento térmico, disminuyendo el riesgo de sobrecalentamiento.

¿Puede funcionar con distintas tensiones?


Sí, puede soportar una tensión de drenaje-fuente máxima de 30 V, lo que lo hace versátil para diversas aplicaciones.

¿Cuál es la tensión umbral máxima de la puerta?


La tensión umbral de puerta máxima es de 2,35 V, lo que garantiza la compatibilidad con una amplia gama de circuitos de accionamiento.

¿Cómo afecta la baja Rds(on) a su rendimiento?


La baja resistencia de drenaje-fuente minimiza las pérdidas por conducción, mejorando la eficiencia y reduciendo la generación de calor durante el funcionamiento.

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