MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 20 A, Mejora, SOIC de 8 pines

Código RS:: 165-5715
Referência do fabricante:: IRF7832TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 20 A, Mejora, SOIC de 8 pines

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Código RS:: 165-5715
Referência do fabricante:: IRF7832TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	20A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	SOIC
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	4.8mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	-20V, +20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	34nC
	Disipación de potencia máxima Pd	2.5W
	Tensión directa Vf	1V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	155°C
	Anchura	4mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	5mm
	Altura	1.5mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de canal N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 20A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado SOIC
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.8mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 34nC
	Disipación de potencia máxima Pd 2.5W
	Tensión directa Vf 1V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 155°C
	Anchura 4mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 5mm
	Altura 1.5mm
	Estándar de automoción No

MOSFET de la serie HEXFET de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 20 A - IRF7832TRPBF

Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de montaje en superficie diseñado para la conmutación y el control de potencia en sistemas electrónicos compactos. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos industriales y se integra en huellas SOIC estándar para montaje en PCB, lo que ofrece un equilibrio de capacidad de corriente y disipación de potencia gestionable para diseños de potencia media.

Características y ventajas:

• Resistencia de conexión muy baja de 4,8 mΩ, lo que permite reducir las pérdidas por conducción
• Corriente de drenaje continua de 20 A compatible con cargas de alta corriente
• Valor nominal de drenaje-fuente de 30 V para carriles de alimentación de baja tensión comunes
• Carga de puerta típica de 34 nC para transiciones de conmutación más rápidas
• Disipación de potencia máxima de 2,5 W para un manejo térmico sostenido
• La tolerancia de puerta-fuente de ±20 V permite niveles de accionamiento flexibles

Aplicaciones

• Apto para etapas de conmutación de convertidor dc-dc
• Ideal para interruptores de potencia de accionamiento de motor en diseños compactos
• Se utiliza con rectificación síncrona en fuentes de alimentación
• Puede utilizarse para conmutar cargas en equipos de telecomunicaciones
• Apto para la gestión de baterías y la distribución de energía

¿Qué extremos térmicos puede soportar durante el servicio?

El dispositivo está especificado para funcionar entre -55 °C y 155 °C, lo que permite su uso en condiciones de temperatura industrial exigentes.

¿Cuántos contactos presenta el encapsulado para el diseño de la placa de circuito impreso?

Se suministra en un encapsulado SOIC de 8 contactos que ayuda en la colocación de huella estándar y la propagación térmica.

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta surgen de su carga de puerta?

Con una carga de puerta típica de 34 nC, los controladores deben suministrar una corriente de pico suficiente para lograr la velocidad de conmutación deseada sin pérdidas excesivas.

¿Cómo afecta su tensión directa a los escenarios de conducción en serie?

La tensión directa medida de 1 V afecta a la caída de los eventos de diodo intrínsecos y debe tenerse en cuenta al diseñar la recuperación inversa o la conducción de diodo de cuerpo.