MOSFET, N-Canal Vishay SI1012CR-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 630 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidade

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

324,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 07 de junho de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 - 30000,108 €324,00 €
6000 +0,105 €315,00 €

*preço indicativo

Código RS:
165-7259
Referência do fabricante:
SI1012CR-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

630mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

SC-75

Serie

Si1012CR

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.1Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8V

Disipación de potencia máxima Pd

240mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.3nC

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

0.86mm

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

1.68mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.