MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 20 V, ID 630 mA, Mejora, SC-75 de 3 pines

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Código RS:
165-7259
Referência do fabricante:
SI1012CR-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

630mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

Si1012CR

Encapsulado

SC-75

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.1Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.3nC

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8 V

Disipación de potencia máxima Pd

240mW

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.8mm

Longitud

1.68mm

Anchura

0.86 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, de 8 V a 25 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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