Referência do fabricante

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI1021R-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 190 A, SC-75, Mejora de 3 pines

Código RS:: 180-7825
Referência do fabricante:: SI1021R-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI1021R-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 190 A, SC-75, Mejora de 3 pines

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Código RS:: 180-7825
Referência do fabricante:: SI1021R-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	190A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	SC-75
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Montaje superficial
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	8Ω
	Modo de canal	Mejora

	Selecionar tudo
	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 190A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado SC-75
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Montaje superficial
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8Ω
	Modo de canal Mejora

Datasheet

COO (País de Origem):: CN

El MOSFET de potencia TrenchFET de la serie Siliconix Si1021R de Vishay tiene una resistencia de estado activo baja y una velocidad de conmutación rápida. Se utiliza en sistemas alimentados por batería, circuitos de convertidor de fuente de alimentación, relés de estado sólido y controladores.

Fácil accionamiento de los interruptores

Baja tensión de offset

Funcionamiento de baja tensión

Circuitos de alta velocidad

Fácil de accionar sin búfer

Área de placa pequeña

MOSFET Vishay, Tipo P-Canal SI1021R-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 190 A, SC-75, Mejora de 3 pines

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