MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 42 A, Mejora, TDSON de 8 pines

Código RS:: 165-6893
Referência do fabricante:: BSC160N10NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 42 A, Mejora, TDSON de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

2 065,00 €

Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €

Fora de stock temporariamente

Envio a partir do dia 10 de novembro de 2026

Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".

Unidad(es)	Por unidade	Por Bobina*
5000 +	0,413 €	2 065,00 €

*preço indicativo

Código RS:: 165-6893
Referência do fabricante:: BSC160N10NS3GATMA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	42A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Serie	OptiMOS 3
	Encapsulado	TDSON
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	33mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	60W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	19nC
	Tensión directa Vf	1V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	5.35mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.1mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 42A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Serie OptiMOS 3
	Encapsulado TDSON
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 60W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 19nC
	Tensión directa Vf 1V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 5.35mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.1mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 42 A, disipación de potencia máxima de 60 W - BSC160N10NS3GATMA1

Este MOSFET está diseñado para ofrecer eficiencia y durabilidad en una gran variedad de aplicaciones. Sirve como componente fundamental en los sistemas de gestión de potencia, destacando en aplicaciones de conmutación, lo que lo hace idóneo para los sectores de automatización y eléctrico. Sus impresionantes características, como la alta corriente de drenaje continua y la baja resistencia en estado encendido, optimizan el rendimiento en diversos entornos, garantizando la resistencia y la eficiencia.

Características y ventajas

• Admite una corriente de drenaje continua de 42 A para tareas de alta potencia

• Funciona a una tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V para una amplia gama de aplicaciones

• Presenta una baja resistencia en estado encendido de 33mΩ, lo que mejora la eficiencia energética

• Diseñado con una configuración de montaje en superficie para una integración sencilla en el circuito

• Funciona en entornos de alta temperatura, hasta +150°C

• Utiliza una configuración de un solo canal N para mejorar la estabilidad

Aplicaciones

• Utilizados en fuentes de alimentación y convertidores para una gestión eficaz de la energía

• Adecuado para que requieren dispositivos de alimentación compactos y eficientes

• Se utiliza en sistemas de control de motores para mejorar los tiempos de respuesta

• Ideal para sistemas de telecomunicaciones que necesitan una gran potencia

• De aplicación común en sistemas de energías renovables para una conversión eficiente de la energía

¿Cuáles son los límites térmicos para el funcionamiento de este dispositivo?

El dispositivo funciona en un rango de temperaturas de -55°C a +150°C, adecuado para diversas condiciones ambientales.

¿Cómo puede beneficiar la baja resistencia de estado activado al diseño de mi circuito?

La baja resistencia en estado encendido reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento, mejorando la eficiencia de su circuito y disminuyendo la generación de calor.

¿Existe algún método de montaje específico para este MOSFET?

Este MOSFET presenta un diseño de montaje en superficie que facilita su integración en placas de circuitos impresos.

¿Se puede utilizar este MOSFET para aplicaciones pulsadas?

Sí, puede admitir corrientes pulsadas de hasta 168 A, lo que la hace apta para aplicaciones con cargas transitorias.

¿Qué medidas de seguridad debo tener en cuenta durante la instalación?

Es importante gestionar la tensión puerta-fuente dentro del rango especificado de -20 V a +20 V para evitar daños, al tiempo que se garantiza el cumplimiento de los valores nominales de resistencia térmica para un rendimiento óptimo.