MOSFET Wolfspeed, N-Canal CAS120M12BM2, VDSS 1.2 kV, ID 193 A, Mejora de 7 pines, config. Serie
- Código RS:
- 162-9720
- Referência do fabricante:
- CAS120M12BM2
- Fabricante:
- Wolfspeed
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- Código RS:
- 162-9720
- Referência do fabricante:
- CAS120M12BM2
- Fabricante:
- Wolfspeed
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Wolfspeed | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 193A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 378nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -10V, +25V | |
| Tensión directa Vf | 2.4V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 925W | |
| Configuración de transistor | Serie | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 106.4mm | |
| Anchura | 61.4mm | |
| Altura | 30mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Wolfspeed | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 193A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 378nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -10V, +25V | ||
Tensión directa Vf 2.4V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 925W | ||
Configuración de transistor Serie | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 106.4mm | ||
Anchura 61.4mm | ||
Altura 30mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio Wolfspeed
Módulos MOSFET de alimentación de carburo de silicio de Wolfspeed, de la división de soluciones de alimentación de Cree Inc. Estos módulos MOSFET SiC se alojan en encapsulados estándares industriales y están disponibles en formato de medio puente (2 MOSFET) y trifásico (6 MOSFET); también incluyen diodos de recuperación inversa SiC. Entre las aplicaciones típicas se incluyen: calefacción por inducción, inversores eólicos y solares, convertidores DC-DC, PFC trifásico, unidades de regeneración de línea, SAI y SMPS, unidades de motor y cargadores de batería.
• La corriente de recuperación inversa del diodo y la corriente de cola de apagado MOSFET son de valor efectivo cero.
• Funcionamiento a alta frecuencia con pérdida ultrabaja
• Fácil conexión en paralelo gracias a las características SiC
• Funcionamiento redundante a fallos, normalmente apagado
• Placa base de cobre y aislador de nitruro de aluminio que reducen los requisitos térmicos
Transistores MOSFET, Wolfspeed
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