MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFP80N25X3, VDSS 250 V, ID 80 A, Mejora, TO-220 de 4 pines

IXYS Corporation (NASDAQ: IXYS), un fabricante mundial de semiconductores de potencia y circuitos integrados (CI) para aplicaciones de eficiencia energética, gestión de alimentación, transporte, médicas y de control de motores, ha lanzado una nueva línea de semiconductores de potencia: los MOSFET de potencia de 250 V Ultra-Junction X3- Class HiPerFET™. Con niveles de resistencia en funcionamiento y carga de compuerta tan bajos como 4,5 MΩ y 21 nanoculombios, respectivamente, estos dispositivos posibilitan unas densidades de potencia y eficiencias energéticas más altas en una amplia variedad de aplicaciones de conversión de potencia de alta velocidad. Desarrollados utilizando un principio de compensación de carga y tecnología de procesos patentada, los nuevos MOSFET proporcionan el mejor factor de mérito de su clase (niveles de resistencia en funcionamiento y carga de compuerta), lo que se traduce en pérdidas de conducción y conmutación más bajas. Presentan las resistencias en funcionamiento más bajas del sector (5 MΩ en el encapsulado TO-264 y 4,5 MΩ en el SOT-227, por ejemplo). Los diodos de cuerpo intrínseco rápido HiPerFET™ de los MOSFET muestran características de recuperación muy suave, minimizando los sobreimpulsos de tensión y las interferencias electromagnéticas (EMI), especialmente en topologías de puente completo o medio. Con baja carga y tiempo de recuperación inversa, los diodos son capaces de eliminar todas las energías sobrantes durante la conmutación de alta velocidad para evitar el fallo del dispositivo y lograr una alta eficiencia. Además, estos nuevos dispositivos ofrecen capacidad de avalancha y muestran un mayor rendimiento dv/dt. Son resistentes a fallos de dispositivo por picos de tensión y activación accidental de transistores bipolares parásitos inherentes a la estructura del MOSFET. Como tales, estos dispositivos necesitan menos amortiguadores y se pueden utilizar en convertidores de potencia de conmutación dura y suave. Aplicaciones adecuadas incluyen cargadores de baterías para vehículos eléctricos ligeros (LEV), rectificación síncrona en fuentes de alimentación de conmutación, control de motores, convertidores DC-DC, fuentes de alimentación ininterrumpida, carretillas elevadoras eléctricas, amplificadores de audio de clase D y sistemas de telecomunicaciones. Los nuevos MOSFET de potencia de 250 V X3- Class con cuerpo de diodo HiPerFET™ están disponibles en los siguientes encapsulados de tamaño estándar internacional: TO-3P, TO-220 (estándar o sobremoldeado), TO-247, PLUS247, TO-252, TO-263, TO-264, TO-268HV, SOT-227. Algunos ejemplos de las referencias del fabricante incluyen IXFA60N25X3, IXFP80N25X3, IXFT170N25X3HV e IXFK240N25X3, con corrientes nominales de 60 A, 80 A, 170 A y 240 A, respectivamente.

Los niveles más bajos de resistencia en funcionamiento (RDS (ON)) y carga de compuerta (Qg)