MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 51 A, Mejora, PQFN de 8 pines

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Código RS:
146-4116P
Referência do fabricante:
FDMS86183
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

51A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

PowerTrench

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.05mm

Anchura

5.85mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor


Transistores MOSFET, ON Semiconductor


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