MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 43 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
145-9494
Referência do fabricante:
IRFS3806TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

43A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

71W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

22nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Anchura

9.65 mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 43 A, disipación de potencia máxima de 71 W - IRFS3806TRLPBF


Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento óptimo en aplicaciones de alta eficiencia. Su configuración de modo de mejora es fundamental en la gestión de la energía, lo que impulsa un uso significativo en diversos sistemas electrónicos. Admite conmutación y amplificación de señales eficientes, esenciales para sectores como la automatización, la electrónica y las industrias eléctrica y mecánica.

Características y ventajas


• Alta capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 43 A

• Funcionamiento eficiente con una tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V

• La baja resistencia a la conexión reduce la pérdida de potencia

• Adecuado para aplicaciones de alta temperatura con un rango de hasta +175°C

• Diseño de montaje en superficie para ahorrar espacio

• Mayor resistencia a las tensiones dinámicas para un rendimiento constante

Aplicaciones


• Ideal para situaciones de conmutación de potencia a alta velocidad

• Utilizados en sistemas de alimentación ininterrumpida

• Aplicable a la rectificación síncrona en fuentes de alimentación conmutadas

• Adecuado para circuitos de alta frecuencia y de conmutación dura

¿Cuál es la tensión puerta-fuente máxima?


La tensión puerta-fuente máxima de este componente es de -20 V a +20 V, lo que permite flexibilidad en varios diseños de circuitos.

¿Cómo afecta la resistencia de conexión a la disipación de potencia?


La menor resistencia a la conexión minimiza la disipación de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia y el rendimiento térmico.

¿Cuál es la tarifa de entrada habitual?


La carga de puerta típica a una tensión puerta-fuente de 10 V es de 22 nC, lo que permite transiciones de conmutación rápidas.

¿Es compatible con los diseños de placas de circuito impreso de montaje superficial?


Sí, el diseño de montaje en superficie es adecuado para los modernos diseños de placas de circuito impreso, lo que facilita la integración en dispositivos electrónicos compactos.

¿Qué factores deben tenerse en cuenta al utilizar el MOSFET en aplicaciones de alta temperatura?


Cuando funcione a altas temperaturas, asegúrese de que se aplica una gestión térmica adecuada para respetar el límite de temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C para garantizar la fiabilidad.

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