MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 45 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 145-8705
Referência do fabricante:: IPA086N10N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 45 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 145-8705
Referência do fabricante:: IPA086N10N3GXKSA1
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	45A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	15.4mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	37.5W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	42nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	16.15mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	4.85 mm
	Longitud	10.65mm
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 45A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado TO-220
	Serie OptiMOS 3
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 15.4mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 37.5W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 42nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 16.15mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 4.85 mm
	Longitud 10.65mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 45 A, disipación de potencia máxima de 37,5 W - IPA086N10N3GXKSA1

Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en automatización, electrónica e ingeniería eléctrica. Como transistor de potencia, mejora la gestión de la energía proporcionando una eficiencia y fiabilidad excelentes. Su diseño duradero admite conmutación de alta frecuencia, lo que lo hace adecuado para entornos en los que es esencial un rendimiento sólido.

Características y ventajas

• La configuración de canal N optimiza la gestión de la corriente

• La baja resistencia a la conexión aumenta la eficiencia general del sistema

• Funciona a temperaturas de hasta +175°C para aplicaciones adaptables

• El paquete totalmente aislado mejora la seguridad durante el funcionamiento

• Cumple las normas RoHS y de ausencia de halógenos para un uso respetuoso con el medio ambiente

Aplicaciones

• Ideal para conmutación de alta frecuencia en dispositivos electrónicos

• Se emplea en la rectificación síncrona para maximizar la eficiencia

• Adecuado para que requieran un elevado consumo de corriente

• Eficaz en entornos sensibles a la temperatura gracias a su sólido rendimiento térmico

¿Qué significa la baja resistencia a la conexión de este dispositivo?

La baja resistencia a la conexión reduce las pérdidas de potencia durante el funcionamiento, lo que mejora la eficiencia de los circuitos de gestión de potencia. El resultado es una menor generación de calor y un mayor rendimiento general.

¿Puede utilizarse este MOSFET en aplicaciones de automoción?

Sí, es apropiado para aplicaciones de automoción, ya que cumple los requisitos de rendimiento a altas temperaturas y proporciona un funcionamiento fiable en condiciones de carga variables.

¿Cómo influye la tensión umbral de puerta en el funcionamiento del circuito?

La tensión de umbral de puerta determina cuándo el MOSFET comienza a conducir. En este caso, oscila entre 2 V y 3,5 V, lo que garantiza que la activación sólo se produzca bajo niveles de tensión adecuados, protegiendo así otros componentes.

¿Qué tipos de circuitos son más compatibles con este transistor de potencia?

Este transistor de potencia es compatible con circuitos de conmutación de alta frecuencia y aplicaciones de rectificación síncrona, ofreciendo versatilidad para diversos diseños electrónicos.

¿Cómo debe montarse el MOSFET para obtener un rendimiento óptimo?

El MOSFET debe montarse utilizando el método de orificio pasante para garantizar unas conexiones seguras y una disipación eficaz del calor en función de sus especificaciones de resistencia térmica.