MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHP065N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 40 A, Mejora, TO-220 de 4 pines

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Código RS:
134-9709
Referência do fabricante:
SIHP065N60E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

E

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

15.49mm

Anchura

4.65 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.51mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor


Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS).

Características


Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG

Baja capacitancia de entrada (Ciss)

Nivel bajo en resistencia (RDS(on))

Carga de compuerta (Qg) ultrabaja

Conmutación rápida

Menores pérdidas por conmutación y conducción

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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