MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6648TRPBF, VDSS 60 V, ID 86 A, Mejora, MN de 4 pines
- Código RS:
- 130-0948
- Referência do fabricante:
- IRF6648TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 130-0948
- Referência do fabricante:
- IRF6648TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 86A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | DirectFET, HEXFET | |
| Encapsulado | MN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.05mm | |
| Longitud | 6.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 86A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie DirectFET, HEXFET | ||
Encapsulado MN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.05mm | ||
Longitud 6.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia DirectFET™, Infineon
El encapsulado de alimentación DirectFET® es una tecnología de encapsulado MOSFET de potencia de montaje en superficie. El MOSFET DirectFET® es una solución para reducir pérdidas de energía a la vez que se reduce la huella del diseño en aplicaciones de conmutación avanzadas.
La resistencia en funcionamiento más baja del sector en sus respectivas huellas
Resistencia de encapsulado extremadamente baja para minimizar las pérdidas de conducción.
La refrigeración de doble cara altamente eficaz mejora significativamente las densidad de potencia, el coste y la fiabilidad
Perfil bajo de sólo 0,7 mm
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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