MOSFET, N-Canal IXYS IXFN420N10T, VDSS 100 V, ID 420 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines

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Código RS:
125-8043
Referência do fabricante:
IXFN420N10T
Fabricante:
IXYS
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Marca

IXYS

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

420A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

GigaMOS Trench HiperFET

Encapsulado

SOT-227

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.07kW

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

670nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

25.07mm

Altura

9.6mm

Longitud

38.23mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™


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