MOSFET, N-Canal IXYS IXFN420N10T, VDSS 100 V, ID 420 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- Código RS:
- 125-8043
- Referência do fabricante:
- IXFN420N10T
- Fabricante:
- IXYS
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
49,95 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 300 unidade(s) a partir do dia 01 de janeiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 1 | 49,95 € |
| 2 - 4 | 44,96 € |
| 5 + | 42,23 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 125-8043
- Referência do fabricante:
- IXFN420N10T
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 420A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | GigaMOS Trench HiperFET | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 670nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.07kW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 25.07mm | |
| Altura | 9.6mm | |
| Longitud | 38.23mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 420A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie GigaMOS Trench HiperFET | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 670nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.07kW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 25.07mm | ||
Altura 9.6mm | ||
Longitud 38.23mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie GigaMOS™
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 100 V, ID 420 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 1 kV, ID 36 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 100 V, ID 200 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 100 V, ID 360 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 300 V, ID 86 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 150 V, ID 310 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 850 V, ID 110 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 145 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines