MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 50 V, ID 200 mA, Mejora, SOT-323 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
124-6836P
Referência do fabricante:
RU1J002YNTCL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

50V

Encapsulado

SOT-323

Serie

RU1J002YN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

150mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-8V, +8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

1.35mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.1mm

Altura

1mm

Estándar de automoción

No

Transistores MOSFET de canal N, ROHM


Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor


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