MOSFET, N-Canal ROHM, VDSS 20 V, ID 200 mA, Mejora, SOT-416 de 3 pines

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Código RS:
124-6784P
Referência do fabricante:
RE1C002UNTCL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

RE1C002UN

Encapsulado

SOT-416

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

150mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

0.96mm

Longitud

1.7mm

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Transistores MOSFET de canal N, ROHM


Transistores MOSFET, ROHM Semiconductor


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