MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 870 mA, Mejora, ESM de 3 pines
- Código RS:
- 124-5404
- Referência do fabricante:
- NTK3139PT1G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*
256,00 €
Adicione 4000 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 21 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,064 € | 256,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 124-5404
- Referência do fabricante:
- NTK3139PT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 870mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | ESM | |
| Serie | NTK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 550mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 6 V | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.55mm | |
| Anchura | 0.85 mm | |
| Longitud | 1.25mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 870mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado ESM | ||
Serie NTK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 550mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 6 V | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.55mm | ||
Anchura 0.85 mm | ||
Longitud 1.25mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTK3139PT1G, VDSS 20 V, ID 870 mA, Mejora, ESM de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 990 mA, Mejora, ESM de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTK3134NT1G, VDSS 20 V, ID 990 mA, Mejora, ESM de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RZM001P02T2L, VDSS 20 V, ID 100 mA, Mejora, ESM de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RZM002P02T2L, VDSS 20 V, ID 200 mA, Mejora, ESM de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 20 V, ID 8 A, Mejora, SOIC de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 20 A, Mejora, MLP8 de 8 pines