MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 260 mA, SOT-563, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 122-2883
- Referência do fabricante:
- DMN63D8LV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 12000 | 0,037 € | 111,00 € |
| 15000 - 27000 | 0,036 € | 108,00 € |
| 30000 - 72000 | 0,035 € | 105,00 € |
| 75000 - 147000 | 0,034 € | 102,00 € |
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*preço indicativo
- Código RS:
- 122-2883
- Referência do fabricante:
- DMN63D8LV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 260mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-563 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 450mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Longitud | 1.7mm | |
| Certificaciones y estándares | UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | |
| Altura | 0.6mm | |
| Anchura | 1.25 mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 260mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-563 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 450mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Longitud 1.7mm | ||
Certificaciones y estándares UL 94V-0, J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS | ||
Altura 0.6mm | ||
Anchura 1.25 mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N doble, Diodes Inc.
Transistores MOSFET, Diodes Inc.
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