MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 20 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- Código RS:
- 121-6310
- Referência do fabricante:
- NTTFS5116PLTAG
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*
849,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Stock limitado
- Mais 3000 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1500 + | 0,566 € | 849,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 121-6310
- Referência do fabricante:
- NTTFS5116PLTAG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Serie | NTTFS5116PL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 72mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 25nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.15mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Longitud | 3.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado WDFN | ||
Serie NTTFS5116PL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 72mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 25nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.15mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Longitud 3.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTTFS5116PLTAG, VDSS 60 V, ID 20 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 14 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NVTFS5116PLTAG, VDSS 60 V, ID 14 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NVTFS5124PLTAG, VDSS 60 V, ID 1.7 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 150 V, ID 22 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 7.9 A, Mejora, WDFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 100 V, ID 4.4 A, Mejora, WDFN de 8 pines