MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 560 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 121-6308
- Referência do fabricante:
- NTR4003NT3G
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 10000 unidades)*
460,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 170.000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 10000 + | 0,046 € | 460,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 121-6308
- Referência do fabricante:
- NTR4003NT3G
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 560mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.15nC | |
| Tensión directa Vf | 0.7V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 690mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.01mm | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.4 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 560mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.15nC | ||
Tensión directa Vf 0.7V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 690mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.01mm | ||
Longitud 3.04mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.4 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor
Transistores MOSFET, ON Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTR4003NT3G, VDSS 30 V, ID 560 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 560 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTR4003NT1G, VDSS 30 V, ID 560 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 25 V, ID 680 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 500 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 115 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 50 V, ID 200 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 280 mA, Mejora, SOT-23 de 3 pines