MOSFET onsemi FDV303N, VDSS 25 V, ID 680 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 121-2747P
Referência do fabricante:: FDV303N
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi FDV303N, VDSS 25 V, ID 680 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 121-2747P
Referência do fabricante:: FDV303N
Fabricante:: onsemi

FDV303N N-CH Digital FET Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	680 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	25 V
Tipo de Encapsulado	SOT-23
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	450 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.65V
Disipación de Potencia Máxima	350 mW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	+8 V
Ancho	1.3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	2.92mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	1.64 nC @ 4.5 V
Material del transistor	Si
Altura	0.93mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi FDV303N, VDSS 25 V, ID 680 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor