MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal BSL215CH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1.5 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config.
- Código RS:
- 110-7726
- Número do artigo Distrelec:
- 304-36-974
- Referência do fabricante:
- BSL215CH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (60 unidades, em fita de 60)*
17,82 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 17.100 unidade(s) para enviar a partir do dia 28 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 60 + | 0,297 € | 17,82 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 110-7726
- Número do artigo Distrelec:
- 304-36-974
- Referência do fabricante:
- BSL215CH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P, Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Encapsulado | TSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -12, +12V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.6mm | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P, Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie OptiMOS | ||
Encapsulado TSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -12, +12V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.6mm | ||
Longitud 2.9mm | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de la serie OptiMOS de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,5 A - BSL215CH6327XTSA1
Este MOSFET es un dispositivo de transistor de potencia compacto de montaje en superficie diseñado para conmutación y amplificación en contextos industriales y de automoción. Consta de elementos de transistor emparejados en una configuración aislada para admitir aplicaciones complementarias en las que se requiere funcionamiento tanto de canal P como de canal N. El componente está diseñado para su uso en placas de circuito impreso donde un tamaño pequeño y una fiabilidad específica para el sector son importantes.
Características y ventajas:
• La baja carga de puerta de 3 nC permite un rendimiento de conmutación más rápido
• La corriente de drenaje continua máxima de 1,5 A admite circuitos de carga moderada
• La resistencia de drenaje-fuente de 280 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• Valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 20 V para sistemas de baja tensión
• La disipación de potencia de 500 mW gestiona la carga térmica en diseños compactos
• Cualificado conforme a AEC-Q101 para una mayor tolerancia a la tensión en automoción
• La corriente de drenaje continua máxima de 1,5 A admite circuitos de carga moderada
• La resistencia de drenaje-fuente de 280 mΩ reduce las pérdidas por conducción
• Valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 20 V para sistemas de baja tensión
• La disipación de potencia de 500 mW gestiona la carga térmica en diseños compactos
• Cualificado conforme a AEC-Q101 para una mayor tolerancia a la tensión en automoción
Aplicaciones
• Apto para circuitos de conmutación y control de señales de automoción
• Se utiliza con módulos de gestión de baterías y distribución de potencia
• Ideal para convertidores dc-dc compactos y reguladores de tensión
• Se puede utilizar para conmutar cargas en subsistemas de infoentretenimiento
• Adecuado para etapas de controlador de motor integradas
• Se utiliza con módulos de gestión de baterías y distribución de potencia
• Ideal para convertidores dc-dc compactos y reguladores de tensión
• Se puede utilizar para conmutar cargas en subsistemas de infoentretenimiento
• Adecuado para etapas de controlador de motor integradas
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar de manera fiable?
Funciona entre –55 y 150 °C, lo que permite su uso desde arranques en frío hasta altas temperaturas por debajo de la capota.
¿Cuántos elementos de transistor se proporcionan en el chip?
El dispositivo contiene dos elementos por chip dispuestos en una configuración aislada para topologías de circuito flexibles.
¿Qué encapsulado y número de pines deben planificar los diseñadores?
Se suministra en un encapsulado TSOP con seis contactos para montaje en superficie y planificación de diseño.
¿Qué límites de tensión de salida y salida deben respetarse?
La tensión máxima de fuente de puerta es de 12 V y la tensión directa es de 0,8 V para consideraciones de conducción de diodos.
Links relacionados
- MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 20 V, ID 1.5 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 2 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo P-Canal BSL308PEH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 2 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 2, config. Aislado
- MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal BSL316CH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1.5 A, TSOP-6, Mejora de 6 pines, 2, config.
- Conjuntos MOSFET Infineon, Tipo P, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 2.3 A, TSOP, Mejora de 6 pines, 1, config. Doble
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 6 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 4.7 A, Mejora, TSOP de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 5.8 A, Mejora, TSOP de 6 pines