MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1500 V, ID 2.5 A, Mejora, H2PAK de 3 pines

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Código RS:
103-2012
Referência do fabricante:
STH3N150-2
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1500V

Encapsulado

H2PAK

Serie

MDmesh

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29.3nC

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

15.8 mm

Altura

4.8mm

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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