Módulos MOSFET Vishay, N-Canal VS-FC50SA65, VDSS 650 V, ID 68 A, SOT-227, Mejora de 4 pines, config. Simple
- Código RS:
- 869-229
- Referência do fabricante:
- VS-FC50SA65
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Obtenha um desconto por quantidade
Adicione mais 10 para poupar 50,20 €
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
25,24 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 31 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Poupança |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 25,24 € | - |
| 10 - 99 | 20,22 € | 50,20 € |
| 100 - 479 | 17,46 € | 778,00 € |
| 480 + | 16,52 € | 4 185,60 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 869-229
- Referência do fabricante:
- VS-FC50SA65
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | Módulos MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 68A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | SOT-227 | |
| Serie | VS-FC | |
| Tipo de montaje | Terminal roscado | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 54mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 167nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 625W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.45V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Altura | 12.3mm | |
| Longitud | 38.3mm | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Anchura | 25.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto Módulos MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 68A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado SOT-227 | ||
Serie VS-FC | ||
Tipo de montaje Terminal roscado | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 54mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 167nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 625W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.45V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Altura 12.3mm | ||
Longitud 38.3mm | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Anchura 25.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El módulo de potencia de Vishay es un dispositivo de interruptor único diseñado para gestionar de manera eficiente cargas de alta potencia en diversas aplicaciones, utilizando tecnología de superunión avanzada para mejorar el rendimiento.
Valor nominal para una tensión máxima de drenaje a fuente de 650 V, lo que garantiza la fiabilidad en entornos exigentes
Dispone de RDS(on) bajo de 44 mΩ para reducir las pérdidas por conducción
Maneja corrientes de drenaje continuas de hasta 51 A a temperaturas elevadas, lo que optimiza el rendimiento térmico
Links relacionados
- Módulos MOSFET Vishay, N-Canal VS-FC150SA65, VDSS 650 V, ID 115 A, SOT-227, Mejora de 4 pines, config. Simple
- Módulos MOSFET Vishay, N-Canal VS-FC100SA65, VDSS 650 V, ID 113 A, SOT-227, Mejora de 4 pines, config. Simple
- Módulos MOSFET Vishay, N-Canal VS-FC50LA65, VDSS 650 V, ID 42 A, SOT-227, Mejora de 4 pines, config. Lado bajo
- MOSFET, N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 76 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 145 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 170 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines
- MOSFET IXYS, N-Canal IXFN180N15P, VDSS 150 V, ID 150 A, SOT-227, Mejora de 4 pines, config. Simple
- MOSFET, N-Canal IXYS IXFN150N65X2, VDSS 650 V, ID 145 A, Mejora, SOT-227 de 4 pines