MOSFET sencillos, Canal N-Canal Microchip DN1509T-V/C6X, VDSS 90 V, ID 200 mA, Modo de agotamiento, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
849-964
Referência do fabricante:
DN1509T-V/C6X
Fabricante:
Microchip
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Marca

Microchip

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

200mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

90V

Encapsulado

SOT-23

Serie

DN1509

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Modo de agotamiento

Tensión directa Vf

1.4V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.86nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

0.36W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1mm

Anchura

1.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS3 Compliant

Longitud

2.9mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
TH
El MOSFET de Microchip es un transistor de modo de agotamiento de canal N diseñado para una conmutación y amplificación eficientes, lo que garantiza una alta impedancia de entrada y un rendimiento térmico superior para diversas aplicaciones.

La alta impedancia de entrada mejora la estabilidad del circuito

Las velocidades de conmutación rápidas mejoran los tiempos de respuesta en las aplicaciones

La baja resistencia de encendido garantiza un manejo eficiente de la potencia

La ausencia de fugas térmicas y de averías secundarias mejora la fiabilidad

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