MOSFET, Canal N-Canal STMicroelectronics STB25N018M9, VDSS 250 V, ID 56 A, Modo de mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 830-840
- Referência do fabricante:
- STB25N018M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 830-840
- Referência do fabricante:
- STB25N018M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 56A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | STB Series | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 85nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 320W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | ROHS | |
| Altura | 4.5mm | |
| Longitud | 10.3mm | |
| Anchura | 10mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 56A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie STB Series | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 320W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares ROHS | ||
Altura 4.5mm | ||
Longitud 10.3mm | ||
Anchura 10mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics es un componente de superunión de canal N construido con tecnología Advanced MDmesh M9. Permite diseños más pequeños y compactos sin comprometer la capacidad térmica.
Tipo de encapsulado de montaje en superficie D2PAK
Proceso de fabricación de drenaje múltiple basado en silicio
Baja carga de puerta con una eficiencia excepcional
Capacidad dv/dt mejorada y probado para avalancha