MOSFET sencillos, Canal N-Canal Vishay SQJ766EP-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 100 A, Modo de mejora, P de 8 pines
- Código RS:
- 829-354
- Referência do fabricante:
- SQJ766EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 829-354
- Referência do fabricante:
- SQJ766EP-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | P | |
| Serie | SQJ | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0046Ω | |
| Modo de canal | Modo de mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 31nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 93W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Altura | 1.04mm | |
| Anchura | 4.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado P | ||
Serie SQJ | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0046Ω | ||
Modo de canal Modo de mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 31nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 93W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 6.15mm | ||
Altura 1.04mm | ||
Anchura 4.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N doble de alto rendimiento para automoción de Vishay diseñado para aplicaciones exigentes. Proporciona una eficiencia y fiabilidad robustas en diversos sistemas electrónicos.
La tecnología TrenchFET Gen IV garantiza un rendimiento eficiente
Certificación AEC-Q101 para aplicaciones de automoción
100 % probado R y UIS para mayor fiabilidad
La baja resistencia en estado activo reduce la pérdida de energía
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