Módulo Microchip, N-Canal MSCSMG120ANPCM11TPAG, VDSS 1.2 kV, ID 251 A
- Código RS:
- 813-787
- Referência do fabricante:
- MSCSMG120ANPCM11TPAG
- Fabricante:
- Microchip
Subtotal (1 unidade)*
358,69 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 24 de maio de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 358,69 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 813-787
- Referência do fabricante:
- MSCSMG120ANPCM11TPAG
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | Módulo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 251A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1.2kV | |
| Serie | MSCSM | |
| Tipo de montaje | Montaje en PCB | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10.4mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1042W | |
| Tensión directa Vf | 4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 23V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 123nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 17.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 62mm | |
| Longitud | 108mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto Módulo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 251A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1.2kV | ||
Serie MSCSM | ||
Tipo de montaje Montaje en PCB | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10.4mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1042W | ||
Tensión directa Vf 4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 23V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 123nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 17.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 62mm | ||
Longitud 108mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El módulo de potencia de carburo de silicio de alto rendimiento de Microchip proporciona una eficiencia de élite para aplicaciones industriales exigentes. Este módulo robusto optimiza la conversión de energía al tiempo que minimiza las pérdidas de conmutación en entornos de alta frecuencia.
Incorpora IGBT7 para reducir la caída de tensión y minimizar la corriente de fuga
Dispone de termistor interno para un control preciso de la temperatura
Diseñado con baja inductancia parásita para un rendimiento óptimo
Incluye terminales soldables para facilitar el montaje en PCB en aplicaciones de perfil bajo
Links relacionados
- Módulos MOSFET Microchip, N-Canal MSCSMC120AM04TBZ2EG, VDSS 1.2 kV, ID 236 A, Módulo, Modo de mejora de 33 pines
- MOSFET, N-Canal Microchip, VDSS 1.2 kV, ID 46 A, TO-247
- MOSFET, N-Canal Microchip MSC040SMA120B, VDSS 1.2 kV, ID 46 A, TO-247
- Módulos MOSFET Infineon, N-Canal FS17MR12W2M1HB11ABPSA2, VDSS 1.2 kV, ID 40 A
- MOSFET, N-Canal Microchip MSC060SMB120B4N, VDSS 1.2 kV, ID 38 A, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Microchip MSC030SMB120B4N, VDSS 1.2 kV, ID 89 A, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Microchip MSC080SMB120B4N, VDSS 1.2 kV, ID 30 A, TO-247 de 4 pines
- MOSFET, N-Canal Microchip MSC020SMB120B4N, VDSS 1.2 kV, ID 97 A, TO-247 de 4 pines