MOSFET, Canal N-Canal ROHM SCT2H12NWBTL1, VDSS 1700 V, ID 3.9 A, TO de 7 pines
- Código RS:
- 780-669
- Referência do fabricante:
- SCT2H12NWBTL1
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 780-669
- Referência do fabricante:
- SCT2H12NWBTL1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1700V | |
| Encapsulado | TO | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 39W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 0V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.5mm | |
| Altura | 4.5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 10.2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1700V | ||
Encapsulado TO | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 39W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 0V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.5mm | ||
Altura 4.5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 10.2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de carburo de silicio de ROHM proporciona conmutación de canal N de alto rendimiento para gestión de potencia industrial de alta tensión. Este dispositivo SiC avanzado está diseñado para fuentes de alimentación auxiliares, lo que garantiza una conductividad térmica superior y menores pérdidas de conmutación en comparación con los componentes de silicio tradicionales.
Tensión de drenaje a fuente de 1700 V
Corriente de drenaje continua de 3,9 A
Resistencia de conexión típica de 1,15 ohmios
Alta disipación de potencia de 39 W
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