MOSFET, Canal P-Canal ROHM AG508EGD3HRBTL, VDSS 5 V, ID 40 A, TO-252 de 3 pines

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Opções de embalagem:
Código RS:
780-654
Referência do fabricante:
AG508EGD3HRBTL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Canal P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

5V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-10V

Tensión directa Vf

-1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

53W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27.6nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.3mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Longitud

6.8mm

Anchura

6.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia de ROHM está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia, proporcionando un rendimiento robusto con un valor nominal de -40 V y una importante capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 40 A.

Baja resistencia de conexión con una RDS(on) máxima de 24,0 mΩ

100 % probado en avalancha para mayor fiabilidad

Certificación AEC-Q101, que garantiza el cumplimiento para aplicaciones de automoción

Conformidad con RoHS con chapado sin plomo para mayor seguridad ambiental

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