MOSFET sencillos, N-Canal onsemi 2N7000BU, VDSS 60 V, ID 200 mA, N, TO-92 de 3 pines
- Código RS:
- 765-295P
- Referência do fabricante:
- 2N7000BU
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 765-295P
- Referência do fabricante:
- 2N7000BU
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 200mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | 2N700 | |
| Encapsulado | TO-92 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 400mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.19mm | |
| Anchura | 5.2mm | |
| Longitud | 20.95mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 200mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie 2N700 | ||
Encapsulado TO-92 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5Ω | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 400mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.19mm | ||
Anchura 5.2mm | ||
Longitud 20.95mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de modo de mejora de canal N de onsemi está diseñado para ofrecer un rendimiento de conmutación excepcional en aplicaciones de baja tensión y baja corriente. Utilizando la tecnología DMOS patentada de alta densidad de celdas, este transistor fiable mantiene una resistencia mínima en estado activo, lo que lo convierte en ideal para diversas aplicaciones, incluido el control de servomotores pequeños y los controladores de puerta MOSFET de potencia. Con un diseño robusto que admite hasta 400 mA de corriente continua y corrientes de impulso que alcanzan los 2 A, ofrece durabilidad y eficiencia, lo que garantiza que satisface las demandas de los diseños electrónicos modernos.
Los tiempos de conmutación rápidos mejoran el rendimiento general del sistema
Diseñado para mejorar la robustez inductiva, lo que garantiza la fiabilidad en condiciones exigentes
La baja capacitancia de entrada facilita una respuesta más rápida y un consumo de energía reducido
El área de funcionamiento segura ampliada maximiza el rendimiento en condiciones variables
La fiabilidad a altas temperaturas contribuye a prolongar la vida útil del producto
Este dispositivo no contiene plomo, lo que se ajusta a las prácticas de fabricación respetuosas con el medio ambiente
Las características térmicas eficientes permiten un funcionamiento constante en diversos entornos
El encapsulado compacto TO-92 permite una fácil integración en diversas aplicaciones