MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMW40R011M2HXKSA1, VDSS 400 V, ID 104 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

16,44 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 240 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 - 916,44 €
10 - 2414,80 €
25 +12,17 €

*preço indicativo

Código RS:
762-965
Referência do fabricante:
IMW40R011M2HXKSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

104A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

400V

Encapsulado

TO-247

Serie

CoolSiC

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

85nC

Tensión directa Vf

4.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

20.8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

4.83mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET CoolSiC de Infineon es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona. Utiliza la tecnología de interconexión .XT para el mejor rendimiento térmico de su clase y la tensión de accionamiento de puerta recomendada de 0 a 18 V.

Diodo de cuerpo rápido robusto de conmutación

100 % a prueba de avalancha

Calificado para aplicaciones industriales

tensión de funcionamiento de 400 V

Links relacionados