Transistor de potencia, Canal N-Canal Infineon IGLT65R110B2AUMA1, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 9 pines
- Código RS:
- 762-901
- Referência do fabricante:
- IGLT65R110B2AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
6,80 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 1784 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,80 € |
| 10 - 99 | 5,45 € |
| 100 - 499 | 4,42 € |
| 500 - 999 | 3,92 € |
| 1000 + | 3,46 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 762-901
- Referência do fabricante:
- IGLT65R110B2AUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | PG-HDSOP-16 | |
| Serie | CoolGaN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 9 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 140mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 55W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.61nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -10V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 2.35mm | |
| Longitud | 10.3mm | |
| Anchura | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado PG-HDSOP-16 | ||
Serie CoolGaN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 9 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 140mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 55W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.61nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -10V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 2.35mm | ||
Longitud 10.3mm | ||
Anchura 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El interruptor bidireccional (BDS) CoolGaN de Infineon utiliza tecnología de nitruro de gallio para proporcionar un bloqueo de tensión eficiente en ambas direcciones. Integra el control de tensión del sustrato, lo que simplifica el diseño para diversas aplicaciones industriales. El modelo IGLT65R110B2 está alojado en un encapsulado TOLT, optimizado para alta densidad de potencia.
Optimizado para un funcionamiento de conmutación suave
Puerta doble para una funcionalidad bidireccional independiente
Rendimiento superior
Versátil para diversas aplicaciones industriales
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Canal N-Canal Infineon IMLT65R075M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 74 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMLT65R020M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 107 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMLT65R026M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 82 A, PG-HDSOP-16, Mejora de 16 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMLT65R040M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 57 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMLT65R033M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 68 A, PG-HDSOP-16, Mejora de 16 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMLT65R015M2HXTMA1, VDSS 650 V, ID 142 A, Mejora, PG-HDSOP-16 de 16 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDD60R180CM8XTMA1, VDSS 650 V, ID 21 A, Mejora, PG-HDSOP-10 de 10 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDD60R037CM8XTMA1, VDSS 650 V, ID 72 A, Mejora, PG-HDSOP-10 de 10 pines