MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STD70N10F4, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 2 pines
- Código RS:
- 719-650
- Referência do fabricante:
- STD70N10F4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | STP | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0195Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 85nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.4mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie STP | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0195Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.4mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
La tecnología STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET de STMicroelectronics se encuentra entre las últimas mejoras, que se han diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activo, con una nueva estructura de puerta que proporciona un rendimiento de conmutación superior.
Capacidad dv/dt excepcional
RDS(on) de resistencia encendida muy baja
100 % a prueba de avalancha
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