MOSFET de potencia, Canal N-Canal STMicroelectronics STD70N10F4, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 2 pines
- Código RS:
- 719-650
- Referência do fabricante:
- STD70N10F4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 719-650
- Referência do fabricante:
- STD70N10F4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | STP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 2 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0195Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 125W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 85nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 6.6mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Altura | 2.4mm | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie STP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 2 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0195Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 125W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 85nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 6.6mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
Altura 2.4mm | ||
La tecnología STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET de STMicroelectronics se encuentra entre las últimas mejoras, que se han diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado activo, con una nueva estructura de puerta que proporciona un rendimiento de conmutación superior.
Capacidad dv/dt excepcional
RDS(on) de resistencia encendida muy baja
100 % a prueba de avalancha