MOSFET, Canal P-Canal DiodesZetex DMP3013SFV-7, VDSS -30 V, ID -35 A, Mejora, PowerDI3333-8 de 8 pines
- Código RS:
- 719-553
- Referência do fabricante:
- DMP3013SFV-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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- Código RS:
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- DMP3013SFV-7
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- DiodesZetex
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Canal P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -35A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Serie | DMP3013SFV | |
| Encapsulado | PowerDI3333-8 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 17mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 31W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -50°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33.7nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Anchura | 3.4 mm | |
| Altura | 0.85mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Canal P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -35A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Serie DMP3013SFV | ||
Encapsulado PowerDI3333-8 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 17mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 31W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -50°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33.7nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 3.4mm | ||
Anchura 3.4 mm | ||
Altura 0.85mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de modo de mejora de canal P de 30 V de DiodesZetex, diseñado para proporcionar un rendimiento de conmutación superior al tiempo que minimiza la resistencia en estado activo. Su encapsulado Compact PowerDI3333-8 es térmicamente eficiente, lo que permite una mayor densidad en los productos finales. Este MOSFET es especialmente adecuado para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia, lo que ofrece ventajas significativas en flexibilidad de diseño y optimización del espacio.
El factor de forma pequeño reduce el área de la placa en un 33% en comparación con los encapsulados SO-8
El diseño térmicamente eficiente permite una mayor densidad en los productos finales
La puerta con protección ESD aumenta la fiabilidad en aplicaciones sensibles
Totalmente libre de plomo y completamente conforme con RoHS, lo que garantiza la seguridad ambiental
Sin halógenos ni antimonio, lo que lo convierte en un dispositivo "verde"
El peso es de aproximadamente 0,03 gramos, lo que facilita los diseños ligeros
Cumple la clasificación de inflamabilidad UL de 94V-0 para mejorar la seguridad
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