MOSFET sencillos, Tipo N, Tipo P-Canal ROHM, VDSS 40 V, Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- Código RS:
- 687-388P
- Referência do fabricante:
- HT8MB5TB1
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-388P
- Referência do fabricante:
- HT8MB5TB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | HT8MB5 | |
| Encapsulado | HSMT-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 44mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 13W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.8mm | |
| Longitud | 3.45mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie HT8MB5 | ||
Encapsulado HSMT-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 44mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 13W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.8mm | ||
Longitud 3.45mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 3.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- JP
El MOSFET de potencia de canal P de ROHM está diseñado para aplicaciones exigentes como accionamientos de motor y fuentes de alimentación de conmutación. Este componente presenta una resistencia de conexión excepcionalmente baja, por lo que es ideal para soluciones de gestión de energía en las que la eficiencia es primordial. El HT8MB5 está alojado en un compacto encapsulado HSMT8, que facilita diseños que ahorran espacio al tiempo que mantiene un alto rendimiento. Con unos valores máximos impresionantes y un diseño robusto, este MOSFET proporciona un funcionamiento fiable en condiciones ambientales variables, lo que garantiza la estabilidad y la durabilidad de sus operaciones.
La baja resistencia de encendido mejora la eficiencia y la gestión térmica
El encapsulado compacto HSMT8 permite reducir el tamaño de los diseños
Valor nominal para una tensión de drenaje-fuente de 40 V garantiza la versatilidad en las aplicaciones
La capacidad de disipación de potencia de 13 W admite aplicaciones de alta potencia
El chapado sin plomo junto con el cumplimiento de la directiva RoHS demuestra la compatibilidad con el medio ambiente
Los materiales sin halógenos promueven la seguridad en las aplicaciones electrónicas
100 % probado para Rg y UIS, lo que garantiza fiabilidad y rendimiento
Apto tanto para aplicaciones de conmutación como de accionamiento de motor, lo que aumenta su facilidad de uso