MOSFET sencillos, Doble N-Canal ROHM HT8KF6HTB1, VDSS 150 V, Mejora, HSMT-8 de 8 pines

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Código RS:
687-371
Referência do fabricante:
HT8KF6HTB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Tipo de canal

Doble N

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

HT8KF6H

Encapsulado

HSMT-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

214mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.4nC

Disipación de potencia máxima Pd

14W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

3.45mm

Altura

0.8mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia de canal N de ROHM está diseñado para una gestión eficiente de la potencia en diversas aplicaciones. Este componente proporciona características eléctricas robustas, incluida una corriente de drenaje continua máxima de ±7,0 A, lo que garantiza un funcionamiento fiable con cargas elevadas. Sus materiales sin plomo y sin halógenos cumplen las normas RoHS, lo que contribuye a diseños respetuosos con el medio ambiente. La resistencia térmica de este MOSFET está optimizada, lo que permite una disipación térmica eficaz, lo que mejora la durabilidad y el rendimiento del dispositivo en diversas aplicaciones electrónicas.

Baja resistencia de encendido para mejorar la eficiencia

Alta capacidad de potencia en un compacto encapsulado moldeado HSMT8

Cumple la normativa RoHS con chapado sin plomo

Diseño sin halógenos para apoyar iniciativas respetuosas con el medio ambiente

Aplicación versátil en accionamientos de motor y sistemas de gestión de potencia

Alta temperatura nominal máxima de unión de 150 °C

Impresionante disipación de potencia máxima de 14 W

Características de avalancha fiables con una energía máxima de 0,24 mJ

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