MOSFET sencillos, Tipo N-Canal ROHM SCT4018KWATL, VDSS 1200 V, ID 75 A, Mejora, TO-263-7LA de 8 pines
- Código RS:
- 687-342
- Referência do fabricante:
- SCT4018KWATL
- Fabricante:
- ROHM
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- Código RS:
- 687-342
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | SCT4018KWA | |
| Encapsulado | TO-263-7LA | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 170nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 267W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 21 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 10.2 mm | |
| Longitud | 15.4mm | |
| Altura | 4.5mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie SCT4018KWA | ||
Encapsulado TO-263-7LA | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 170nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 267W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 21 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 10.2 mm | ||
Longitud 15.4mm | ||
Altura 4.5mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TH
El MOSFET de potencia SiC de canal N de ROHM, diseñado para una gestión eficiente de la potencia en una gran variedad de aplicaciones. Con una tensión máxima de drenaje-fuente de 1.200 V y una baja resistencia de conexión de 18 mΩ, este MOSFET optimiza el rendimiento en sistemas de alta eficiencia como inversores solares y calefacción por inducción. Proporciona una gestión térmica robusta con un rango de temperaturas de unión de hasta 175 °C, lo que garantiza un funcionamiento fiable incluso en entornos exigentes. El dispositivo presenta una velocidad de conmutación rápida, por lo que es ideal para aplicaciones que requieren conmutación de alta frecuencia, lo que mejora la eficiencia y el rendimiento general del sistema.
La baja resistencia de encendido garantiza una pérdida mínima de energía durante el funcionamiento
Admite velocidades de conmutación rápidas para mejorar la eficiencia
Diseñado para un fácil funcionamiento en paralelo, lo que facilita la escalabilidad
Sus robustas características térmicas permiten el funcionamiento en condiciones extremas
El chapado sin plomo cumple la normativa RoHS de seguridad medioambiental
La amplia distancia de fuga de 4,7 mm aumenta la fiabilidad en aplicaciones de alta tensión
Ideal para diversas aplicaciones, incluidos inversores solares y convertidores dc/dc
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