MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQ2310CES-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 6 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- Código RS:
- 653-114
- Referência do fabricante:
- SQ2310CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
558,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 22 de junho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,186 € | 558,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 653-114
- Referência do fabricante:
- SQ2310CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Serie | SQ2310CES | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.03Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±8 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.5nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Altura | 1.12mm | |
| Anchura | 2.64 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Serie SQ2310CES | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.03Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±8 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.5nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Longitud 3.04mm | ||
Altura 1.12mm | ||
Anchura 2.64 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de canal N Vishay Compact de grado de automoción está diseñado para aplicaciones de conmutación de baja tensión. Con una tensión nominal de fuente de drenaje de 20 V y una temperatura de unión máxima de 175 °C, es ideal para entornos con espacio limitado y exigentes desde el punto de vista térmico. Se suministra en un encapsulado SOT-23 y aprovecha la tecnología TrenchFET para un rendimiento eficiente.
Con cualificación AEC Q101
Sin Pb
Sin halógenos
Cumplimiento de RoHS
Links relacionados
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 6 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQS174ELNW-T1_GE3, VDSS 72 V, ID 87 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQJQ140ER-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 413 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQJ190ELP-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 19.6 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQS146ELNW-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 94 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQS178ELNW-T1_GE3, VDSS 72 V, ID 54 A, Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET sencillos, Doble N-Canal Vishay SQJ738EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 123 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
- MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Vishay SQJQ114EL-T1_GE3, VDSS 100 V, ID 136 A, Mejora, PowerPAK de 4 pines
