MOSFET sencillos, Tipo N-Canal Microchip 2N6660, VDSS 60 V, ID 410 mA, Mejora, TO-39 de 3 pines
- Código RS:
- 649-369
- Referência do fabricante:
- 2N6660
- Fabricante:
- Microchip
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 410mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-39 | |
| Serie | 2N6660 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 6.25W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | Lead (Pb)-free/RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 410mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-39 | ||
Serie 2N6660 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 6.25W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares Lead (Pb)-free/RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- TH
Transistor de Microchip de canal N y modo de mejora (normalmente apagado) que utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puertas de silicio de eficacia probada. Esta combinación produce un dispositivo con la capacidad de gestión de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo inherentes a los dispositivos MOS. Característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de desbocamiento térmico y avería secundaria inducida térmicamente.
Libre de averías secundarias
Necesidad de accionamiento de baja potencia
Facilidad de paralelismo
CISS bajo y velocidades de conmutación rápidas
Excelente estabilidad térmica
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