MOSFET sencillos, N-Canal ROHM AG096FPD3HRBTL, VDSS 100 V, ID 59 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
646-618P
Referência do fabricante:
AG096FPD3HRBTL
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET sencillos

Corriente continua máxima de drenaje ld

59A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

AG096F

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.5V

Disipación de potencia máxima Pd

76W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17.3nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de grado de automoción de ROHM tiene la certificación AEC-Q101. Ideal para sistemas de automoción. Estos MOSFET están 100 por ciento probados en avalancha.

Resistencia de conexión baja

Chapado sin Pd

Conforme a RoHS

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